Molekuły POM przyszłością pamięci flash?
21 listopada 2014, 13:26Nowa molekuła może być odpowiedzią na ograniczoną pojemność układów flash. Komponenty MOS (metal-oxide-semiconductor) wykorzystywane do produkcji pamięci flash są ograniczone fizycznym limitem wielkości komórki pamięci. Bardzo trudno bowiem jest je zmniejszyć poniżej 10 nanometrów, co ogranicza liczbę komórek, jakie można umieścić na tradycyjnym krzemowym układzie.
"Zimne" pamięci macierzowe
17 września 2009, 15:17W Korei stworzono materiał, który może pozwolić na zbudowanie niezwykle gęstych pamięci typu Millipede, zdolnych do pracy w temperaturze pokojowej. Pamięci tego typu (pamięci macierzowe) zakładają wykorzystanie próbników rozgrzanych do bardzo wysokiej temperatury, za pomocą których dokonywany jest zapis i odczyt danych.
RAMpage zagraża urządzeniom z Androidem
2 lipca 2018, 11:28Niemal wszystkie urządzenia z Androidem sprzedane po roku 2012 są podatne na atak RAMpage. To odmiana znanego od co najmniej 3 lat ataku Rowhammer. Atak pozwala napastnikowi na przejęcie całkowitej kontroli nad urządzeniem ofiary.Rowhammer wykorzystuje fakt, że współczesne układy pamięci są bardzo gęsto upakowane
Internet - zewnętrzny dysk twardy ludzkości
15 lipca 2011, 21:01Opublikowane w magazynie Science badania sugerują, że internet zmienił sposób, w jaki zapamiętujemy informacje. Przestajemy pamiętać konkretne szczegóły, zapamiętujemy za to witryny, gdzie możemy te szczegóły znaleźć
iPhone znowu złamany
12 lutego 2008, 16:50Nastoletni hacker George Hotz, znany jako Geohot, złamał zabezpieczenia najnowszego firmware’u iPhone’a. Nad ich pokonaniem od tygodni trudzili się liczni hackerzy. Teraz, dzięki Hotzowi, użytkownicy apple’owskiego telefonu będą mogli korzystać z niego w dowolnej sieci telefonicznej.
Nieulotna superpamięć
29 lipca 2015, 09:29Intel i Micron poinformowały o powstaniu technologii pamięci nieulotnej 3D Xpoint (3D Crosspoint). Pozwala ona na produkowanie układów pamięci, które działają 1000-krotnie szybciej od kości NAND. Na pojedynczej podstawce można zmieścić 128 gigabitów (16 gigabajtów)
Początek produkcji pamięci zmiennofazowych
22 września 2009, 13:45Samsung rozpoczął produkcję zmiennofazowych pamięci RAM (PRAM). Układy o pojemności 512 megabitów przeznaczone są dla telefonów komórkowych i innych niewielkich urządzeń zasilanych bateriami.
Nowy rodzaj pamięci ma chronić przed atakami typu Spectre
3 października 2019, 11:26Inżynierowie z intelowskiej grupy Strategic Offensive Research & Mitigation (STORM) opublikowali pracę naukową opisującą nowy rodzaj pamięci dla procesorów. Pamięć taka miałaby zapobiegać atakom side-channel wykorzystującym mechanizm wykonywania spekulatywnego, w tym atakom na błędy klasy Spectre.
Superwytrzymałe ReRAM Samsunga
20 lipca 2011, 15:54Koreańczycy z Samsung Advanced Institute of Technology poinformowali o stworzeniu nieulotnych pamięci ReRAM (Resistance RAM), które wytrzymują biliard cykli zapisu/odczytu, a czas przełączania wynosi w nich jedynie 10 nanosekund, czyli jest około miliona razy krótszy niż we współczesnych pamięciach flash
Windows zdominuje Eee
14 marca 2008, 12:50Linux ciągle nie jest w stanie wyjść z zajętej przez siebie rynkowej niszy i stać się systemem masowym. W ciągu ostatnich kilkunastu miesięcy byliśmy świadkami powstania kilku interesujących inicjatyw, które dawały nadzieję, że opensource'owy system operacyjny trafi do przeciętnego domu.
